氮化镓肖特基二极管

氮化镓肖特基二极管

肖特基二极管(SBDs)是广泛应用于PFCs和开关电源等电力电子应用的基础电子元件。目前，市场上的主要解决方案包括硅和碳化硅肖特基二极管。然而，这两种技术都存在一些需要考虑的缺点。

硅的材料特性限制了单极(或肖特基)二极管的使用范围在100V- 150V，具有相对较高的导通电阻和泄漏电流。对于更高的电压，硅器件需采用p-i-n结，但这会导致高反向恢复时间，因此仅限于低开关频率。由于宽带隙半导体的优越性能，碳化硅肖特基二极管可以达到更高的击穿电压，具有低的反向恢复电荷和导通电阻，特别适合于KV范围内的应用。然而，由于碳化硅衬底成本高，碳化硅肖特基二极管价格昂贵，并且由于其垂直结构而难以在单芯片上集成。

硅基氮化镓肖特基二极管解决了上述所有缺点，由于在低成本硅衬底上生长的氮化镓具有独特的特性，因此具有零反向恢复电荷、低导通电阻和650V额定电压的低成本器件。通过我们特有的技术，晶通半导体以接近硅解决方案的成本提供高性能650V氮化镓肖特基二极管，且具有最佳碳化硅器件的性能。凭借零反向恢复和低反向泄漏，我们的650V氮化镓肖特基二极管系列让您充分利用氮化镓的潜力，并提供完整的氮化镓产品组合，包括高电子迁移率晶体管，肖特基二极管和驱动芯片。

卓尔不群

晶通半导体的氮化镓肖特基二极管源于我们不断创新的能力，是市场上首批此类器件。凭借其优异的性能和较低的成本，它们在几种功率转换应用中具有开创性的潜力。

物有所值

得益于大面积和低成本的硅衬底，我们的硅基氮化镓肖特基二极管提供了比碳化硅解决方案更便宜的替代方案，而且不会影响性能。

全氮化镓

晶通半导体提供完整的氮化镓产品组合，包括高电子迁移率晶体管HEMTs,肖特基二极管SBDs和驱动芯片。这可以充分利用氮化镓的非凡特性,实现更紧凑和集成的解决方案。