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专注宽禁带半导体氮化镓功率器件与驱动在电力电子领域的应用
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智能氮化镓功率开关
驱动与GaN HEMTs封装集成,多重保护 650V, 60-165mΩ Rdson
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功率器件驱动芯片
SiC、IGBT、MOSFET、GaN 驱动芯片 低边驱动,隔离驱动IC
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氮化镓单管及裸片
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