智能驱动

与传统的硅基器件相比，氮化镓(GaN)功率器件具有独特的潜力，可以实现更低的开关损耗、更高的能量效率和功率密度。对于每一个功率器件来说，适当的栅极驱动是充分发挥其内在能力的关键。尤其是氮化镓的高开关速度、脆弱的栅极和相对较低的阈值电压使其需要专门和优化的驱动解决方案。

晶通半导体推出的Smart-Drive^®智能驱动技术旨在通过联合开发功率器件、专用栅极驱动器和先进封装来实现实现一流的性能和可接受的成本。

除了SiP 智能氮化镓技术的基础组件外，晶通半导体的独立栅极驱动器也可用于公开市场，以帮助客户充分利用氮化镓器件、硅基器件、碳化硅器件的卓越性能。这些栅极驱动器通过可调的导通和关断栅极电压、导通栅极电流水平和故障电流阈值，可广泛扩展到不同的应用。此外，智能驱动提供多种监测保护功能，充分保护氮化镓器件并提高其效率和易用性。这些功能包括可调无损电流传感，待机模式下的低供电电流消耗，欠压锁定，过温保护，以及可用于外部应用电路的稳压5V电源。由于高灵活性和高集成度，故障率大大降低，同时增强的功能集和高度集成的解决方案有助于降低整个系统的成本和复杂性。