氮化镓功率器件研发总监

职位描述：

1.主管GaN产品开发工作。

2.主导功率GaN器件的设计和测试。

3.与代工厂和其他行业伙伴合作，解决设备性能和可靠性等关键性挑战。

4.探索新技术和技术改进

任职资格：

1.博士或电气工程、微电子或固态物理学或其他相关学科的硕士学位。

2.八年以上GaN HEMT器件工程和可靠性经验。

3.五年以上工业GaN技术经验。

4.优秀的人际交往能力，精力充沛，积极上进，自我驱动。

5.能够在一个全球化的团队或环境中很好地工作，自主性强。

投递方式:
邮箱：hr@jtmicroelectronics.com 标题：【应聘】姓名+意向岗位+意向工作地点