职责描述:
1. 开发 E-mode和 D-mode的GaN-on-Si 器件的寿命模型。
2. 使用内部设施以及与晶圆厂和集成厂商合作,设计有效的老化和筛选测试程序。
3、通过HRTB、HTGB、HTOL、TCT、ESD等不同测试,识别和考察新型GaN功率器件的可靠性。
4. 为测试工程师设计高效准确的测试计划和例程。
5. 与仿真、测量和 FA 团队合作研究 GaN 功率器件的失效机制。
6. 开发基于物理的失效机制模型并向设计团队提供建议。
7. 与工艺工程师和领先的晶圆厂合作,提高器件的可靠性。
8. 根据 JEDEC 标准对GaN 器件进行验证。
任职要求:
1. 博士 在微工程、材料科学、电子工程或替代(博士学位认证)具有类似技术背景的 3 年或更多相关年的坚实工业/研发经验
2. 对半导体物理有深入的了解,最好是GaN功率器件
3、有半导体行业可靠性工程及相关标准实践经验
4.有有限元仿真工具和TCAD软件的经验
5. 具有设计、组织和管理实验及相关活动的经验
6. 英语流利
7. 具有良好的工作组织和道德规范的自主和积极的工作作风
8. 有效的沟通和人际关系技巧,能够在具有不同专业和文化背景的团队中工作
投递方式:
邮箱:hr@jtmicroelectronics.com 标题:【应聘】姓名+意向岗位+意向工作地点