智能氮化镓

智能氮化镓

氮化镓(GaN)功率器件比传统的硅基器件开关更快，效率更高。这使得新一代的电源转换解决方案具有更小的尺寸，重量和环境影响。

尽管潜力巨大，但广泛采用氮化镓功率晶体管的主要问题之一是栅极堆栈的脆弱性和正确驱动器件的困难。氮化镓器件的高开关速度(dv/dt)、低阈值电压(Vth)和低栅极击穿电压(Vgs)对其可靠性构成了严重威胁，并给电力电子设计人员带来了额外的负担。为了解决这些问题，每个制造商都有他们自己的解决方案，通常依赖于专用的氮化镓驱动程序或额外的组件，这增加了整个系统的成本和复杂性。

晶通半导体推出的智能氮化镓技术为这些问题提供了卓越的解决方案。晶通半导体智能氮化镓器件因为集成了驱动功能，可以完全像传统的硅MOSFET一样工作。输入兼容传统硅基器件的栅极驱动电压，易于使用。驱动集成大大减小了寄生参数的影响，优化的器件与驱动耦合设计避免了误导通事件。此外，智能氮化镓技术还引入了一些额外的集成功能，如无损电流传感、ESD保护、待机模式、欠压锁定和过温保护。所有这些功能都直接嵌入到设备中，使操作更安全，效率更高，从而带来业界领先的可靠性和效率。

可靠性

我们的智能氮化镓技术提供了多种保护，包括过流和短路，过温和ESD。再加上我们优化的栅极驱动，这些成就了我们氮化镓器件的高可靠性，它总是在最理想的条件下运行，并保护系统免受故障的影响。

易于使用

晶通半导体的智能氮化镓器件可以类似于硅场效应管或超级结的操作。大栅极摆幅和正阈值电压不需要任何专用驱动器或额外组件，并且与传统控制器兼容，降低了整体转换器的复杂性和成本。

高速度

晶通半导体的解决方案使您能够充分利用氮化镓令人难以置信的速度。无需担心高dV/dt或假导通事件，这些都由我们的智能氮化镓技术负责。这意味着开关速度比硅器件快10倍以上，从而带来更紧凑和高效的解决方案。